在网上搜了一下事件执行顺序,并经过测试在有分页的情况下是不正确的。
事件执行顺序:
一、GridView 显示绑定的数据(默认为5行):
复制代码 代码如下:
DataBinding
RowCreated:Header[0]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[1]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[2]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[3]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[4]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[5]
RowDataBound
RowCreated:Footer[6] //不管有没有页角行,该事件都会发生
RowDataBound
RowCreated:Pager[7]
RowDataBound
DataBound
顺序如下:
DataBinding
RowCreated
RowDataBound
......
DataBound
二、GridView 点击分页按钮时的事件发生顺序:
复制代码 代码如下:
RowCommand
PageIndexChanging
PageIndexChanged
DataBinding
RowCreated:Header[8]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[9]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[10]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[11]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[12]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[13]
RowDataBound
RowCreated:Footer[14]
RowDataBound
RowCreated:Pager[15]
RowDataBound
DataBound
理解也就是在点跳页按钮的时候,只会绑定要显示的页的资料,如上,因此在RowDataBound中不会绑定所有的资料,此时去统计,只能统计出当前页的加总(如上9-13笔的资料)
目前想来,也只有对要绑定的资料进行统计了。不能在GridView中的事件中去处理。
事件执行顺序:
一、GridView 显示绑定的数据(默认为5行):
复制代码 代码如下:
DataBinding
RowCreated:Header[0]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[1]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[2]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[3]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[4]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[5]
RowDataBound
RowCreated:Footer[6] //不管有没有页角行,该事件都会发生
RowDataBound
RowCreated:Pager[7]
RowDataBound
DataBound
顺序如下:
DataBinding
RowCreated
RowDataBound
......
DataBound
二、GridView 点击分页按钮时的事件发生顺序:
复制代码 代码如下:
RowCommand
PageIndexChanging
PageIndexChanged
DataBinding
RowCreated:Header[8]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[9]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[10]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[11]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[12]
RowDataBound
RowCreated:DataRow[13]
RowDataBound
RowCreated:Footer[14]
RowDataBound
RowCreated:Pager[15]
RowDataBound
DataBound
理解也就是在点跳页按钮的时候,只会绑定要显示的页的资料,如上,因此在RowDataBound中不会绑定所有的资料,此时去统计,只能统计出当前页的加总(如上9-13笔的资料)
目前想来,也只有对要绑定的资料进行统计了。不能在GridView中的事件中去处理。
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Gridview,行绑定事件
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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。