误区 #29:可以通过对堆建聚集索引再DROP后进行堆上的碎片整理
Nooooooooooooo!!!
对堆建聚集索引再DROP在我看来是除了收缩数据库之外最2的事了。
如果你通过sys.dm_db_index_physical_stats(或是老版本的DBCC SHOWCONTIG)看到堆上有碎片，绝对不要通过建立聚集索引再删除聚集索引来整理堆碎片。好的做法应该是建立聚集索引之后不再删除，已经有非常多的资料阐述如何选择一个理想的聚集索引键--窄，很少变动，唯一，自增。Kimberly有一篇文章对此做了一个总结:Ever-increasing clustering key - the Clustered Index Debate..........again!(注意，是基于SQL Server 2005版本),对此我也有一个例子：An example of a nasty cluster key。
你也可以在SQL Server 2008中通过ALTER TABLE ... REBUILD来清除堆碎片，但这个做法和建立聚集索引后再删除同样邪恶。
如果你想问为什么我对此甚有成见？好吧，那我解释一下：非聚集索引中每一行都会指向一个RID或是聚集索引键的链接（详情请看：What Happens if I Drop a Clustered Index?）,这个链接会以下面两种方式之一出现：
Nooooooooooooo!!!
对堆建聚集索引再DROP在我看来是除了收缩数据库之外最2的事了。
如果你通过sys.dm_db_index_physical_stats(或是老版本的DBCC SHOWCONTIG)看到堆上有碎片，绝对不要通过建立聚集索引再删除聚集索引来整理堆碎片。好的做法应该是建立聚集索引之后不再删除，已经有非常多的资料阐述如何选择一个理想的聚集索引键--窄，很少变动，唯一，自增。Kimberly有一篇文章对此做了一个总结:Ever-increasing clustering key - the Clustered Index Debate..........again!(注意，是基于SQL Server 2005版本),对此我也有一个例子：An example of a nasty cluster key。
你也可以在SQL Server 2008中通过ALTER TABLE ... REBUILD来清除堆碎片，但这个做法和建立聚集索引后再删除同样邪恶。
如果你想问为什么我对此甚有成见？好吧，那我解释一下：非聚集索引中每一行都会指向一个RID或是聚集索引键的链接（详情请看：What Happens if I Drop a Clustered Index?）,这个链接会以下面两种方式之一出现：
- 如果非聚集索引所在的表是堆，那么这个链接就是一个RID。
- 如果非聚集索引所在的表是聚集索引，那么这个链接就是聚集索引键。
如果你希望对此有更多了解，请看文章底部的链接。
因此不难看出，如果你希望将堆变为聚集索引，那么非聚集索引的所有RID就失效了，因此所有的非聚集索引都需要被重建。同样，如果删除聚集索引键，那么所有非聚集索引上存储的聚集索引键都会失效，因此也需要重建所有的非聚集索引。
简单点说，如果你建立再删除聚集索引后，所有的非聚集索引都会被重建两次。
如果你使用SQL Server 2008的ALTER TABLE ... REBUILD来整理堆碎片，那么同样也需要重建所有的非聚集索引，因为所有的RID都会变动。
那么，如果对于“重建”聚集索引呢？这取决于SQL Server的版本以及你是进行rebuild索引亦或是改变索引。一个常见的误区是对表进行分区将会改变聚集索引键，但事实上不会。对于那些会引起非聚集索引重建的操作，请看如下列表:Indexes From Every Angle: What happens to non-clustered indexes when the table structure is changed?。
标签：
堆碎片
免责声明：本站文章均来自网站采集或用户投稿，网站不提供任何软件下载或自行开发的软件！
如有用户或公司发现本站内容信息存在侵权行为，请邮件告知！ 858582#qq.com
桃源资源网 Design By www.nqtax.com
暂无“SQL Server误区30日谈 第29天 有关堆碎片的误区”评论...
RTX 5090要首发 性能要翻倍！三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB，每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps（PAM3），但也可以降至28 Gbps，以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示，GDDR7内存的能效将提高20%，同时工作电压仅为1.1V，低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计，使得在高速运行时的发热量降低，GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。