温习了MongoDB的插入操作,主要使用PHP语言实践。
目的
- 理解官方shell和PHP SDK操作的差异
- 以MySQL的思维理解MongoDB的shell,感觉差异还是很大的
- 理解有多少种插入操作,以及差异点
- 重点理解异常操作,如何看官方文档
mongoDB shell
insertMany()、insert()、insertOne()三个方法大体上是差不多的,insertMany()相当于批处理,insertOne()是插入当个,这两个函数返回的对象没有明确指示,insert()相当于批处理,如果插入的是单个文档,返回的是WriteResult对象,如果是多个文档返回BulkWriteResult对象(真正的批量操作)。
如果产生异常,则会返回writeConcernErrors和writeErrors两种错误,有两个细节。
如果是批量插入,ordered是true,则遇到一个错误,后面就不返回了,反之则会继续运行,不过最终都会抛出异常。
其次遇到异常就不会返回_ids,这一点觉得特别让人难以理解,若何知晓插入了那些ID?
再次强调,对于MongoDB来说,只能保证单个文档插入是原子性的。另外MongoDB插入的文档不存在,则会自动插件文档。
db.collection.insertMany( [ <document 1> , <document 2>, ... ], { writeConcern: <document>, ordered: <boolean> } )
PHP SDK
各个语言SDK和官方SHELL是差不多的,看的时候可以对照着看。
对于insertMany函数来说,如果处理正常返回的是MongoDB\InsertManyResult对象,它实际上是MongoDB\Driver\WriteResult 扩展的包装。
如果遇到异常,可以通过 MongoDB\Driver\Exception\WriteException::getWriteResult 扩展方法获取,它返回的实际上也是MongoDB\Driver\WriteResult对象。该对象的getWriteConcernError、getWriteErrors函数可以获取具体的错误信息,从而决定程序如何处理。
对于异常来说,还有其他错误类型,比如MongoDB\Exception\InvalidArgumentException、MongoDB\Driver\Exception\RuntimeException。
最后通过一个例子来说明:
$obj = $collection->insertMany( [ [ '_id' => "5f03014f73efc304f72dc6e2", 'email' => 'admin@example.com', ], [ 'username' => 'test', 'email' => 'test@example.com', ] ],[ "ordered"=>false] ); $obj->getInsertedCount(); $obj->getInsertedId(); } catch (\MongoDB\Exception\InvalidArgumentExceptio $e) { } catch (\Exception $e) { $obj = $e->getWriteResult(); $data_1 = $obj->getWriteErrors(); $data_2 = $obj->getInsertedCount(); $data_3 = $obj->getUpsertedIds(); }
整体上和官方文档描述没有太大的差异。
参考:
- https://www.php.net/mongodb-driver-writeexception.getwriteresult
- https://www.php.net/class.mongodb-driver-writeresult
- https://docs.mongodb.com/manual/reference/method/db.collection.insertMany/
- https://docs.mongodb.com/php-library/v1.4/reference/method/MongoDBCollection-insertMany/
总结
RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。